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◆歪み防止バッファーTR内蔵２ｃｈミューティングトランジスタ
RT3Y97M
SC-88(6ピン)パッケージに、抵抗付ミューティングトランジスタ2回路と
歪み防止用の抵抗付PNPトランジスタを搭載。
オーディオ機器のＬ、Ｒミューティング回路を当素子で構成できます。
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オーディオ機器のミューティング用、低損失スイッチング用
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Tr1側にRT1P140（R1=10kΩ,R2=なし）を搭載。
Tr2,Tr3側に抵抗付ミュートトランジスタ（R1=2.2kΩ,R2=なし）を2素子内蔵 |
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Tr2,Tr3：オン抵抗が小さい。Ron=1.6Ω（@VIN=3V）
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Tr2,Tr3：Reverse hFEが大きい |
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Tr2,Tr3：エミッタ・ベース間耐圧が大きい。VEBO=40V |
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(※)写真はRTAN230M |
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RTAN230X,RTAN140Xについての
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RT2N62M,RT2N65Mについての
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◆超小型抵抗内蔵ミューティングトランジスタ
RTAN230X、RTAN140X、RT2N62M、RT2N65M
SC-59,SC-70,SC-75A(SC-90),TUSM,SC-88A(複合)パッケージに
20V,400mAクラスの抵抗付ミューティング用トランジスタを搭載
SC-59：X=C、SC-70：X=M、SC-75A(SC-90)：X=U、TUSM：X=T
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オーディオ機器のミューティング用、低損失スイッチング用
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超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能 |
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コレクタ飽和電圧が低い。RTAN230 VCE(sat)=10mV(TYP.)
（@IC=10mA/IB=0.5mA） |
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オン抵抗が小さい。RTAN230 Ron=0.7Ω（@VI=5V） |
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Reverse hFEが大きい |
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エミッタ・ベース間耐圧が大きい。VEBO=40V |
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